Tiancheng Semiconductor erzielt neuen Durchbruch bei 12-Zoll-SiC

Im Oktober 2025 meldete Tiancheng Semiconductor einen wichtigen Durchbruch in der Forschung und Entwicklung von 12-Zoll-Siliziumkarbid. Auf Basis selbst entwickelter Langkristallanlagen gelang die erfolgreiche Herstellung hochreiner, halbisolierender und N-Typ-12-Zoll-SiC-Einkristalle. Die effektive Dicke der N-Typ-Kristalle überstieg 35 mm, und die selbst entwickelte Anlage kann Einkristalle mit einer maximalen Größe von 350 mm erzeugen. Gleichzeitig wurden zwei ausgereifte Verfahren zur Herstellung dieser Einkristalle beherrscht.

 
Das Unternehmen wurde 2021 gegründet und ist tief in der Forschung, Entwicklung und Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten und Langkristallanlagen verankert, mit einem klaren Tempo technologischer Iteration: 2022 wurde die Kleinserienproduktion von 6-Zoll-SiC-Ingots erreicht; 2023 erfolgte der Durchbruch bei der 8-Zoll-Technologie; 2024 wurde die Massenproduktion von 8-Zoll-Produkten mit einem Dickenuniformitätsfehler von nur 2 Mikrometern realisiert. Bis Juli 2025 wurde der Kernprozess für 12-Zoll-N-Typ-SiC erstmals gemeistert, wobei das Widerstandsofenverfahren innovativ verbessert wurde, um den Wachstumsengpass der Branche zu durchbrechen, die Mikroröhrchendichte deutlich zu senken und eine Ausbeute von 65 % zu erreichen. Derzeit verfügt das Unternehmen über eine vollständige Produktionslinie vom Einkristallofen über die Pulveraufbereitung bis hin zum großskaligen Kristallwachstum und zur Weiterverarbeitung, wodurch eine eigenständige und kontrollierbare End-to-End-SiC-Technologie erreicht und die Kernkompetenz der Lokalisierung von Substraten für Halbleiter der dritten Generation gestärkt wird